Journal des sciences théoriques et computationnelles
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Abstrait

Étude des principes des propriétés structurelles, électroniques et chimiques du PbX dopé Sn (X=S, Se, Te)

Asghar Khan M, Zulfiqar Ali Shah, Jabran Khan, Yasser Arafat, Sikandar Hayat et Munawar Saeed

Français Les liaisons structurelles, électroniques et chimiques du PbX dopé Sn (X=S, Se, Te) sont calculées par la méthode des ondes planes augmentées linéarisées à potentiel complet (FP-LAPW) dans le cadre de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT). L'approximation du gradient généralisé de Wu et Cohen (WC-GGA) est utilisée pour calculer les effets de corrélation d'échange. Les paramètres structurels changent en fonction du dopage. Les calculs montrent que la bande interdite diminue avec l'augmentation de la concentration en Sn. Il a été observé que les états s, p et d du PbX (X=S, Se, Te) contrôlent leurs propriétés électroniques. Les alliages Pb1–xSnxS, Pb1–xSnxSe et Pb1–xSnxTe présentent une nature de liaison covalente qui s'améliore en augmentant la concentration en Sn.